Samsung SSD 990 EVO Plus NVMe M.2 1TB PCIe

Article number: 12330044

€105.87

Gross:€125.99

plus shipping costs

Delivery time:

Delivery date open

Alternatives in stock

Add to wishlist

Die Samsung SSD 990 EVO Plus NVMe M.2 1TB PCIe ist eine leistungsstarke NVMe SSD mit einer... more

Close menu

Product information "Samsung SSD 990 EVO Plus NVMe M.2 1TB PCIe"

Die Samsung SSD 990 EVO Plus NVMe M.2 1TB PCIe ist eine leistungsstarke NVMe SSD mit einer Speicherkapazität von 1 TB und der V-NAND Speichertechnoloie. Die SSD bietet eine sequentielle Lesegeschwindigkeit von bis zu 7.150 MB/s und eine Schreibgeschwindigkeit von bis zu 6.300 MB/s. Für eine konstant hohe Leistung ist die SSD mit einem smarten Temperatur-Management ausgestattet.

Hauptmerkmale

Leistungsstarke NVMe™-SSD im M.2-Formfaktor (2280)
1 TB Speicherkapazität
V-NAND Speichertechnologie
sequentielle Lese- und Schreibgeschwindigkeit von bis zu 7.150 / 6.300 MB/s
Energieeffizient: Um 73 % pro Watt verbesserte Leistung gegenüber der 990 EVO
smartes Temperatur-Management für konstant hohe Leistung
geeignet für leistungsstarke PCs, Laptops und Spielekonsolen
kompatibel mit PCIe 4.0 x4 und PCIe 5.0 x2
AES 256-Bit-Verschlüsselung (Class 0), TCG/Opal V2.0, IEEE1667 (Encrypted Drive)
TRIM (Unterstützung durch ein Betriebssystem erforderlich), Garbage Collection, S.M.A.R.T.

Kompatibilität

Playstation 5
Desktop-PCs mit M.2-Steckplatz und PCIe®-Gen5-, Gen4- oder Gen3-Schnittstelle

Lieferumfang

1x Samsung SSD 990 EVO Plus NVMe M.2 1TB PCIe

Technische Daten

Hardware
Kapazität [3]	1 TB
Formfaktor	M2 (2280)
Schnittstelle	PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0 (abwärtskompatibel mit PCIe® 4.0 x4 und 3.0 x4)
Controller	Samsung in-house Controller
Flash-Speicher	Samsung V-NAND TLC
DRAM-Cache-Speicher	1 GB LPDDR4
Leistung [1][2]
Sequenzielle Lesegeschwindigkeit	bis zu 7.150 MB/s
Sequenzielle Schreibgeschwindigkeit	bis zu 6.300 MB/s
4 KB Random Read (QD32)	bis zu 850.000 IOPS
4 KB Random Write (QD32)	Bis zu 1.350.000 IOPS
Intelligent-TurboWrite-Puffergrößen	108 GB
Energiebedarf [4] (typisch)
Idle (DPIM eingeschaltet)	60 mW
Bei Aktivität durchschnittlich (Lesen)	4,3 W
Bei Aktivität durchschnittlich (Schreiben)	4,2 W
Device Sleep (DVSLP)/L1.2-Modus	5 mW
Allgemeines
Betriebstemperatur	0 °C bis 70 °C
Lagertemperatur	- 40 °C bis 85 °C
Feuchtigkeit	5 % bis 95 % , nicht kondensierend
Stoßsicherheit	1.500 G und 0,5 ms (halber Sinus), 3 Achsen
Vibration	20 ~ 2.000 Hz, 20G
Zuverlässigkeit (MTBF)	1,5 Mio. Stunden
Spezifizierte Gesamtschreibdatenmenge	600 TBW
Maße	80,15 x 22,15 x 2,38 mm (max.)
Gewicht	ca. 9 g
Anmerkungen	[1] Die sequenzielle und zufällige Schreibleistung wurde mit aktivierter Intelligent TurboWrite-Technologie gemessen. Intelligentes TurboWrite arbeitet nur innerhalb einer bestimmten Datenübertragungsgröße. Die Leistung kann je nach SSD-Firmware, Systemhardware und -konfiguration sowie anderen Faktoren variieren. [2] Die sequenziellen und zufälligen Leistungsmessungen basieren auf IOmeter 1.1.0. Die Leistung kann je nach SSD-Firmware, Systemhardware und -konfiguration sowie anderen Faktoren variieren. Testsystemkonfiguration: AMD Ryzen9 7950x Kern-Prozessor CPU@4,5 GHz, DDR5 4.800 MHz 16 GBx2 (PC5-38400), Betriebssystem – Windows 11 Pro 64 Bit, Chipsatz – ASRock X670E Taichi. [3] 1 GB = 1.000.000.000 Bytes. Ein gewisser Anteil der Kapazität kann für Systemdateien und die Instandhaltung genutzt werden, sodass die tatsächliche Kapazität von den Angaben auf dem Produktetikett abweichen kann. [4] Der Energiebedarf wurde gemessen mit IOmeter 1.1.0. Der Energiebedarf ist abhängig von der Firmware-Version, der Hardware und den Betriebseinstellungen der SSD. AMD Ryzen9 7950x Kern-Prozessor CPU@4,5 GHz, DDR5 4.800 MHz 16 GBx2 (PC5-38400), Betriebssystem – Windows 11 Pro 64 Bit, Chipsatz – ASRock X670E Taichi