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Samsung SSD 990 EVO Plus NVMe M.2 4TB PCIe
leistungsstarke NVMe™-SSD mit 4 TB Speicherkapazität, V-NAND-Technologie
Article number: 12330041
€329.40
Gross:€391.99
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Product information "Samsung SSD 990 EVO Plus NVMe M.2 4TB PCIe"
Die Samsung SSD 990 EVO Plus NVMe M.2 4TB PCIe ist eine leistungsstarke NVMe SSD mit einer Speicherkapazität von 4 TB und der V-NAND Speichertechnologie. Die SSD bietet eine sequentielle Lesegeschwindigkeit von bis zu 7.250 MB/s und eine Schreibgeschwindigkeit von bis zu 6.300 MB/s. Für eine konstant hohe Leistung ist die SSD mit einem smarten Temperatur-Management ausgestattet.
Hauptmerkmale
- Leistungsstarke NVMe™-SSD im M.2-Formfaktor (2280)
- 5 TB Speicherkapazität
- V-NAND Speichertechnologie
- sequentielle Lese- und Schreibgeschwindigkeit von bis zu 7.250 / 6.300 MB/s
- Energieeffizient: Um 73 % pro Watt verbesserte Leistung gegenüber der 990 EVO
- smartes Temperatur-Management für konstant hohe Leistung
- geeignet für leistungsstarke PCs, Laptops und Spielekonsolen
- kompatibel mit PCIe 4.0 x4 und PCIe 5.0 x2
- AES 256-Bit-Verschlüsselung (Class 0), TCG/Opal V2.0, IEEE1667 (Encrypted Drive)
- TRIM (Unterstützung durch ein Betriebssystem erforderlich), Garbage Collection, S.M.A.R.T.
Kompatibilität
- Playstation 5
- Desktop-PCs mit M.2-Steckplatz und PCIe®-Gen5-, Gen4- oder Gen3-Schnittstelle
Lieferumfang
- 1x Samsung SSD 990 EVO Plus NVMe M.2 4TB PCIe
Technische Daten
Hardware |
|
Kapazität [3] | 4 TB |
Formfaktor | M2 (2280) |
Schnittstelle | PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0 (abwärtskompatibel mit PCIe® 4.0 x4 und 3.0 x4) |
Controller | Samsung in-house Controller |
Flash-Speicher | Samsung V-NAND TLC |
DRAM-Cache-Speicher | 4 GB LPDDR4 |
Leistung [1][2] |
|
Sequenzielle Lesegeschwindigkeit | bis zu 7.250 MB/s |
Sequenzielle Schreibgeschwindigkeit | bis zu 6.300 MB/s |
4 KB Random Read (QD32) | bis zu 1.050.000 IOPS |
4 KB Random Write (QD32) | Bis zu 1.400.000 IOPS |
Intelligent-TurboWrite-Puffergrößen | 432 GB |
Energiebedarf [4] (typisch) |
|
Idle (DPIM eingeschaltet) | 60 mW |
Bei Aktivität durchschnittlich (Lesen) | 5,5 W |
Bei Aktivität durchschnittlich (Schreiben) | 4,8 W |
Device Sleep (DVSLP)/L1.2-Modus | 5 mW |
Allgemeines |
|
Betriebstemperatur | 0 °C bis 70 °C |
Lagertemperatur | - 40 °C bis 85 °C |
Feuchtigkeit | 5 % bis 95 % , nicht kondensierend |
Stoßsicherheit | 1.500 G und 0,5 ms (halber Sinus), 3 Achsen |
Vibration | 20 ~ 2.000 Hz, 20G |
Zuverlässigkeit (MTBF) | 1,5 Mio. Stunden |
Spezifizierte Gesamtschreibdatenmenge | 2.400 TBW |
Maße | 80,15 x 22,15 x 2,38 mm (max.) |
Gewicht | ca. 9 g |
Anmerkungen |
[1] Die sequenzielle und zufällige Schreibleistung wurde mit aktivierter Intelligent TurboWrite-Technologie gemessen. Intelligentes TurboWrite arbeitet nur innerhalb einer bestimmten Datenübertragungsgröße. Die Leistung kann je nach SSD-Firmware, Systemhardware und -konfiguration sowie anderen Faktoren variieren. [2] Die sequenziellen und zufälligen Leistungsmessungen basieren auf IOmeter 1.1.0. Die Leistung kann je nach SSD-Firmware, Systemhardware und -konfiguration sowie anderen Faktoren variieren. Testsystemkonfiguration: AMD Ryzen9 7950x Kern-Prozessor CPU@4,5 GHz, DDR5 4.800 MHz 16 GBx2 (PC5-38400), Betriebssystem – Windows 11 Pro 64 Bit, Chipsatz – ASRock X670E Taichi. [3] 1 GB = 1.000.000.000 Bytes. Ein gewisser Anteil der Kapazität kann für Systemdateien und die Instandhaltung genutzt werden, sodass die tatsächliche Kapazität von den Angaben auf dem Produktetikett abweichen kann. [4] Der Energiebedarf wurde gemessen mit IOmeter 1.1.0. Der Energiebedarf ist abhängig von der Firmware-Version, der Hardware und den Betriebseinstellungen der SSD. AMD Ryzen9 7950x Kern-Prozessor CPU@4,5 GHz, DDR5 4.800 MHz 16 GBx2 (PC5-38400), Betriebssystem – Windows 11 Pro 64 Bit, Chipsatz – ASRock X670E Taichi |
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