Samsung SSD 990 EVO Plus NVMe M.2 2TB PCIe

Artikelnummer: 12330043

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Produktinformationen "Samsung SSD 990 EVO Plus NVMe M.2 2TB PCIe"

Die Samsung SSD 990 EVO Plus NVMe M.2 2TB PCIe ist eine leistungsstarke NVMe SSD mit einer Speicherkapazität von 2 TB und der V-NAND Speichertechnologie. Die SSD bietet eine sequentielle Lesegeschwindigkeit von bis zu 7.250 MB/s und eine Schreibgeschwindigkeit von bis zu 6.300 MB/s. Für eine konstant hohe Leistung ist die SSD mit einem smarten Temperatur-Management ausgestattet.

Hauptmerkmale

Leistungsstarke NVMe™-SSD im M.2-Formfaktor (2280)
2 TB Speicherkapazität
V-NAND Speichertechnologie
sequentielle Lese- und Schreibgeschwindigkeit von bis zu 7.250 / 6.300 MB/s
Energieeffizient: Um 73 % pro Watt verbesserte Leistung gegenüber der 990 EVO
smartes Temperatur-Management für konstant hohe Leistung
geeignet für leistungsstarke PCs, Laptops und Spielekonsolen
kompatibel mit PCIe 4.0 x4 und PCIe 5.0 x2
AES 256-Bit-Verschlüsselung (Class 0), TCG/Opal V2.0, IEEE1667 (Encrypted Drive)
TRIM (Unterstützung durch ein Betriebssystem erforderlich), Garbage Collection, S.M.A.R.T.

Kompatibilität

Playstation 5
Desktop-PCs mit M.2-Steckplatz und PCIe®-Gen5-, Gen4- oder Gen3-Schnittstelle

Lieferumfang

1x Samsung SSD 990 EVO Plus NVMe M.2 2TB PCIe

Technische Daten

Hardware
Kapazität [3]	2 TB
Formfaktor	M2 (2280)
Schnittstelle	PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0 (abwärtskompatibel mit PCIe® 4.0 x4 und 3.0 x4)
Controller	Samsung in-house Controller
Flash-Speicher	Samsung V-NAND TLC
DRAM-Cache-Speicher	2 GB LPDDR4
Leistung [1][2]
Sequenzielle Lesegeschwindigkeit	bis zu 7.250 MB/s
Sequenzielle Schreibgeschwindigkeit	bis zu 6.300 MB/s
4 KB Random Read (QD32)	bis zu 1.000.000 IOPS
4 KB Random Write (QD32)	Bis zu 1.350.000 IOPS
Intelligent-TurboWrite-Puffergrößen	216 GB
Energiebedarf [4] (typisch)
Idle (DPIM eingeschaltet)	60 mW
Bei Aktivität durchschnittlich (Lesen)	4,6 W
Bei Aktivität durchschnittlich (Schreiben)	4,2 W
Device Sleep (DVSLP)/L1.2-Modus	5 mW
Allgemeines
Betriebstemperatur	0 °C bis 70 °C
Lagertemperatur	- 40 °C bis 85 °C
Feuchtigkeit	5 % bis 95 % , nicht kondensierend
Stoßsicherheit	1.500 G und 0,5 ms (halber Sinus), 3 Achsen
Vibration	20 ~ 2.000 Hz, 20G
Zuverlässigkeit (MTBF)	1,5 Mio. Stunden
Spezifizierte Gesamtschreibdatenmenge	1.200 TBW
Maße	80,15 x 22,15 x 2,38 mm (max.)
Gewicht	ca. 9 g
Anmerkungen	[1] Die sequenzielle und zufällige Schreibleistung wurde mit aktivierter Intelligent TurboWrite-Technologie gemessen. Intelligentes TurboWrite arbeitet nur innerhalb einer bestimmten Datenübertragungsgröße. Die Leistung kann je nach SSD-Firmware, Systemhardware und -konfiguration sowie anderen Faktoren variieren. [2] Die sequenziellen und zufälligen Leistungsmessungen basieren auf IOmeter 1.1.0. Die Leistung kann je nach SSD-Firmware, Systemhardware und -konfiguration sowie anderen Faktoren variieren. Testsystemkonfiguration: AMD Ryzen9 7950x Kern-Prozessor CPU@4,5 GHz, DDR5 4.800 MHz 16 GBx2 (PC5-38400), Betriebssystem – Windows 11 Pro 64 Bit, Chipsatz – ASRock X670E Taichi. [3] 1 GB = 1.000.000.000 Bytes. Ein gewisser Anteil der Kapazität kann für Systemdateien und die Instandhaltung genutzt werden, sodass die tatsächliche Kapazität von den Angaben auf dem Produktetikett abweichen kann. [4] Der Energiebedarf wurde gemessen mit IOmeter 1.1.0. Der Energiebedarf ist abhängig von der Firmware-Version, der Hardware und den Betriebseinstellungen der SSD. AMD Ryzen9 7950x Kern-Prozessor CPU@4,5 GHz, DDR5 4.800 MHz 16 GBx2 (PC5-38400), Betriebssystem – Windows 11 Pro 64 Bit, Chipsatz – ASRock X670E Taichi