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Samsung SSD 990 Pro NVMe M.2 2 TB PCIe

2 TB NVMe M.2 SSD mit PCIe 4.0, bis 7.450 MB/s Lesen und 6.900 MB/s Schreiben

Artikelnummer: 12329584
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Produktinformationen "Samsung SSD 990 Pro NVMe M.2 2 TB PCIe"

Die Samsung SSD 990 PRO NVMe M.2 2TB PCIe ist eine leistungsstarke SSD für Client-PCs und Gaming-PCs. Mit PCIe Gen 4.0 x4 und NVMe 2.0 erreicht sie sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 7.450 MB/s und sequenzielle Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 6.900 MB/s. Der Samsung Controller, der Samsung V-NAND 3-Bit MLC Speicher und 2 GB stromsparender DDR4 SDRAM Cache sind auf hohe Performance und effiziente Datenverarbeitung ausgelegt. Für stabile Leistung sorgen ein nickelbeschichteter Controller, ein Heatspreader-Label und die Dynamic Thermal Guard Technologie zur Temperaturregulierung. Ergänzend unterstützt die SSD Funktionen wie TRIM, S.M.A.R.T., Auto Garbage Collection, Device Sleep Mode und hardwarebasierte Verschlüsselung.

Hinweise

  • Die angegebene Leistung kann je nach Systemhardware und Konfiguration variieren.
  • Für die maximale Performance wird ein kompatibles System mit PCIe Gen 4.0 x4 und NVMe 2.0 benötigt.
  • Die SSD nutzt den Formfaktor M.2 2280.

Hauptmerkmale

  • 2 TB Speicherkapazität
  • NVMe M.2 SSD im Formfaktor 2280
  • PCIe Gen 4.0 x4 Schnittstelle mit NVMe 2.0
  • Sequenzielle Lesegeschwindigkeit bis zu 7.450 MB/s
  • Sequenzielle Schreibgeschwindigkeit bis zu 6.900 MB/s
  • Bis zu 1.400.000 IOPS beim zufälligen Lesen
  • Bis zu 1.550.000 IOPS beim zufälligen Schreiben
  • Samsung V-NAND 3-Bit MLC Speicher
  • Samsung Controller mit intelligenter Wärmeregulierung
  • 2 GB stromsparender DDR4 SDRAM Cache
  • Dynamic Thermal Guard zur Temperaturregulierung
  • Unterstützt TRIM, S.M.A.R.T. und Auto Garbage Collection
  • AES 256-Bit-Verschlüsselung, TCG/Opal und IEEE1667
  • Geeignet für Client-PCs und Gaming-PCs

Lieferumfang

  • 1x Samsung SSD 990 PRO NVMe M.2 2TB PCIe

Technische Daten

Produkttyp NVMe SSD
Kapazität 2 TB
Anwendung Client-PCs, Gaming-PCs
Formfaktor M.2 2280
Schnittstelle PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Speicher Samsung V-NAND 3-Bit MLC
Controller Samsung Controller
Cache-Speicher Samsung 2 GB stromsparender DDR4 SDRAM
Sequenzielle Lesegeschwindigkeit Bis zu 7.450 MB/s
Sequenzielle Schreibgeschwindigkeit Bis zu 6.900 MB/s
Zufälliges Lesen 4KB, QD32 Bis zu 1.400.000 IOPS
Zufälliges Schreiben 4KB, QD32 Bis zu 1.550.000 IOPS
Zufälliges Lesen 4KB, QD1 Bis zu 22.000 IOPS
Zufälliges Schreiben 4KB, QD1 Bis zu 80.000 IOPS
Durchschnittliche Leistungsaufnahme Betrieb 5,5 W
Maximale Leistungsaufnahme 8,5 W, Burst-Modus
Leistungsaufnahme Leerlauf Max. 55 mW
Betriebsspannung 3,3 V ± 5 %
TRIM-Unterstützung Ja
S.M.A.R.T.-Unterstützung Ja
Garbage Collection Auto Garbage Collection Algorithm
Verschlüsselung AES 256-Bit, TCG/Opal, IEEE1667
WWN-Unterstützung Nein
Device Sleep Mode Ja
Zuverlässigkeit 1,5 Millionen Stunden MTBF
Betriebstemperatur 0 bis 70 °C
Stoßsicherheit 1.500 G & 0,5 ms, Halbsinus
Maße 80 × 22 × 2,3 mm
Gewicht ca. 9 g
Beratung

Fragen zum Produkt

Hotline: +49 6134 58 448 0
E-Mail: [email protected]
Medien
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Samsung

Herstelleradresse

Samsung Electronics GmbH
Frankfurter Straße 2
DE-65760 Eschborn
[email protected]
https://Samsung.de

Verantwortliche Person

Samsung
PO Box 12987
IE- Dublin
[email protected]
https://Samsung.de

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